第三代半导体
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第三代半导体氮化镓
第三代半导体氮化镓
第三代半导体材料：以氮化镓（GaN）、碳化硅（SiC）、氧化锌（ZnO）、金刚石为四大代表，是5G时代的主要材料。起源时间：M国早在1993年就已经研制出第一支氮化镓的材料和器件。而我国最早的研究队伍——中国科学院半导体研究所，在1995年也起步了该方面的研究。重点：市场上从半年前炒氮化镓的充电器时，
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碳化硅（SiC）
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氮化镓（GaN）
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